MMUN2114LT1G دیتاشیت

MUN5114T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN5114T1G
حجم فایل 89.821 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت MUN5114T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi MMUN2114LT1G
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 246mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@300uA,10mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه